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        IGBT
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        IGBT的工作原理

        作者:瑞田达 文章来源:本站原创 点击数: 更新时间:2013-12-25 9:32:13

        IGBT的工作原理 一般IGBT是由许多IGBT单元并联而成,由于IGBT双极性的电导调制效应,当IGBT打开时,di/dt大。若只有部分IGBT单元开通,则大电流集中在开通的IGBT单元中,电流密度骤增

        IGBT驱动方法和 MOSFET 基本相同,只需控制输入极 N一沟道 MOSFET ,所以具有高输入阻抗特性。 当 MOSFET 的沟道形成后,从 P 基极注入到 N 一层的空穴(少子),对 N 一层进行电导调制,减小 N 一层的电阻,使 IGBT 在高电压 时,也具有低的通态电压。若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V,则MOSFET截止,切断PNP晶体管基极电流的供给,使得晶体管截止。

        由此可知,IGBT的安全可靠与否主要由以下因素决定:

        ——IGBT栅极与发射极之间的电压;

        ——IGBT集电极与发射极之间的电压;

        ——流过IGBT集电极-发射极的电流;

        ——IGBT的结温。

        IGBT是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式电力电子器件。应用于交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

        一般IGBT是由许多IGBT单元并联而成,由于IGBT双极性的电导调制效应,当IGBT打开时,di/dt大。若只有部分IGBT单元开通,则大电流集中在开通的IGBT单元中,电流密度骤增,称之为“束流效应”采用调制技术,变压器隔离,内置自给电源,占空比0-100%,工作频率0-100KHz,最大驱动400A/1700V的IGBT?。

         

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